Транзистор 111T2 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 111T2. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 30/120
Производитель: STE
Применение: Medium Power, Switching

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.