Транзистор 26DB080D npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 26DB080D. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
300W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
1200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
800V
Ток коллектора (Iк)
37A
Температура перехода (Tj)
200єC
Производитель
STE
Применение
Darlington, Power, Switching
Искать 26DB080D в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее