Транзистор 2C111 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2C111. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
30mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
4V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
4V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
3mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
22
Коэффициент усиления (hFE)
5MIN
Производитель
STE
Применение
Low Power, General Purpose
Искать 2C111 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее