Транзистор 2N1000 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1000. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
40V
Температура перехода (Tj)
100єC
Граничная частота (Fгр)
6MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
20
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
CSR
Применение
Low Power, Switching, High Frecvency

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N1000 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее