Транзистор 2N1010 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1010. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
20mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
10V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
2mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
35MIN
Производитель
CSR
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N1010 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее