Транзистор 2N1126 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1126. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 35V
Ток коллектора (Iк): 150mA
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 400KHz
Коэффициент усиления (hFE): 10MIN
Производитель: PHO
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N1176 ACY17

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.