Транзистор 2N1232A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1232A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
60V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Ёмкость коллектора (Cк)
180
Коэффициент усиления (hFE)
25/65
Производитель
ELN
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N1232A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее