Транзистор 2N1234 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1234. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
110V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
110V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
99V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Ёмкость коллектора (Cк)
180
Коэффициент усиления (hFE)
14/32
Производитель
ELN

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N1234 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее