Транзистор 2N167A npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N167A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
65mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
25mA
Температура перехода (Tj)
75єC
Граничная частота (Fгр)
4MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
9
Коэффициент усиления (hFE)
30T
Производитель
RSM
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N167A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее