Транзистор 2N1680 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N1680. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
1W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
75V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
50MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
50
Коэффициент усиления (hFE)
40/120
Производитель
STE
Применение
RF, Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N1680 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее