Транзистор 2N2008 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N2008. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
175V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
110V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
40MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
15
Коэффициент усиления (hFE)
40/120
Производитель
CSR
Применение
Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N2008 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее