Транзистор 2N2410-51 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N2410-51. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
800mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
200MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
5
Коэффициент усиления (hFE)
30/120
Производитель
RAYTHEON
Применение
Medium Power, Switching, High Frequency

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N2410-51 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее