Транзистор 2N2872 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N2872. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
110V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
110V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
11V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Ёмкость коллектора (Cк)
70
Коэффициент усиления (hFE)
15MIN
Производитель
HUGHES
Применение
Dual
Искать 2N2872 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее