Транзистор 2N30 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N30. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Ток коллектора (Iк): 7mA
Температура перехода (Tj): 100єC
Граничная частота (Fгр): 2MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 20
Коэффициент усиления (hFE): 22MIN
Производитель: GEN
Применение: PCT

Аналоги

2N404 AF124 AF125 AF126 AF127 AF200 GT109V

В справочнике: 7 из 7. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.