Транзистор 2N3036 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N3036. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
1.2A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
50MHz
Коэффициент усиления (hFE)
50/150
Производитель
RAYTHEON
Применение
Medium Power, High Voltage

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N3036 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее