Транзистор 2N444 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N444. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 25mA
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 400KHz
Ёмкость коллектора (Cк): 30
Коэффициент усиления (hFE): 15T
Производитель: MOTOROLA
Применение: Low Power, General Purpose

Аналоги

2N3430 ASY28 MP35

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.