Транзистор 2N5014 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5014. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
2W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
900V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
20MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
30
Коэффициент усиления (hFE)
30/180
Производитель
SIEMENS
Применение
RF, Medium Power, High Voltage
Искать 2N5014 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее