Транзистор 2N5016 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5016. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
65V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
4.5A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
500MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
25
Коэффициент усиления (hFE)
10/200
Производитель
MOTOROLA
Применение
UHF, Power, High Current
Искать 2N5016 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее