Транзистор 2N5029 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5029. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
320mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
500MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
4
Коэффициент усиления (hFE)
40/120
Производитель
GEN
Применение
VHF, Low Power, Switching

Аналоги

2N2369 BSX20 KT3117G

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N5029 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее