Транзистор 2N5032 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5032. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
15V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
10V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
20mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
1GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
1.5
Коэффициент усиления (hFE)
25/300
Производитель
MOTOROLA
Применение
UHF, Low Power

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N5032 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее