Транзистор 2N5160 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5160. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
5W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
400mA
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
500MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
4
Коэффициент усиления (hFE)
10MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
Ultra High Frequency, Medium Power, High Current
Искать 2N5160 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее