Транзистор 2N5217 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5217. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 7.5W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 80V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 80V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 4V
- Ток коллектора (Iк)
- 500mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 350MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 12
- Коэффициент усиления (hFE)
- 10MIN
- Производитель
- ITT
- Применение
- Ultra High Frequency, Medium Power
Искать 2N5217 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.