Транзистор 2N5526 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5526. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 360mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 40V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 30V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 9V
- Ток коллектора (Iк)
- 200mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 200MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 10
- Коэффициент усиления (hFE)
- 1000T
- Производитель
- TI
- Применение
- Darlington, Power
Искать 2N5526 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.