Транзистор 2N5595 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5595. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
36V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
18V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
1.2A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
1.5GHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
TRW
Применение
Ultra High Frequency, Medium Power, High Current

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N5595 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее