Транзистор 2N5767 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N5767. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
55V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
350mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Ёмкость коллектора (Cк)
5
Коэффициент усиления (hFE)
20MIN
Производитель
TRW
Применение
RF, Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N5767 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее