Транзистор 2N6362 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N6362. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
110W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
22V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
6A
Температура перехода (Tj)
175єC
Коэффициент усиления (hFE)
35MIN
Производитель
MOTOROLA
Применение
RF, Power

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N6362 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее