Транзистор 2N649-5 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N649-5. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
18V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
2V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
120єC
Граничная частота (Fгр)
12MHz
Коэффициент усиления (hFE)
50/150
Производитель
CSR
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N649-5 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее