Транзистор 2N6501 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N6501. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
200єC
Граничная частота (Fгр)
250MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
50/150
Производитель
MOTOROLA
Применение
Quadruple
Искать 2N6501 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее