Транзистор 2N659 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N659. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 200mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 25V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 14V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 12V
- Ток коллектора (Iк)
- 1A
- Температура перехода (Tj)
- 120єC
- Граничная частота (Fгр)
- 5MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 24
- Коэффициент усиления (hFE)
- 40/110
- Производитель
- CSR
- Применение
- Medium Power, Switching, High Frequency
Искать 2N659 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.