Транзистор 2N6653-3 npn
Справочные характеристики биполярного транзистора 2N6653-3. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- NPN
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 125W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 350V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 300V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 7V
- Ток коллектора (Iк)
- 10A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 25MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 300
- Коэффициент усиления (hFE)
- 10MIN
- Производитель
- IPR
- Применение
- Power, High Voltage, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2N6653-3 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.