Транзистор 2N676 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N676. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 10W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 30V
Ток коллектора (Iк): 3A
Температура перехода (Tj): 140єC
Граничная частота (Fгр): 400KHz
Коэффициент усиления (hFE): 1000T
Производитель: PHO
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.