Транзистор 2N913 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N913. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
360mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
175MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
12
Коэффициент усиления (hFE)
75T
Производитель
HUGHES
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N913 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее