Транзистор 2N956 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2N956. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
75V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
32V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
70MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
25
Коэффициент усиления (hFE)
100MIN
Производитель
RAYTHEON
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2N956 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее