Транзистор 2S178 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2S178. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
120mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
32V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
12V
Ток коллектора (Iк)
30mA
Температура перехода (Tj)
75єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
FUJITSU
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2S178 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее