Транзистор 2SA1016G pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA1016G. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 400mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 120V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 120V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 50mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 110MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 2.2
- Коэффициент усиления (hFE)
- 280/560
- Производитель
- SANYO
- Применение
- Low Power, Medium Voltage, General Purpose
Искать 2SA1016G в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.