Транзистор 2SA1150-Y pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA1150-Y. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
800mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
120MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
19
Коэффициент усиления (hFE)
160/320
Производитель
TOSHIBA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать 2SA1150-Y в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее