Транзистор 2SA1155 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA1155. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 400mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 100mA
Температура перехода (Tj): 125єC
Граничная частота (Fгр): 100MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 3
Коэффициент усиления (hFE): 600T
Производитель: TOSHIBA
Применение: Dual

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.