Транзистор 2SA1160B pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA1160B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
900mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
2A
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
60
Коэффициент усиления (hFE)
200/400
Производитель
TOSHIBA
Применение
Power, General Purpose
Искать 2SA1160B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее