Транзистор 2SA1160C pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA1160C. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
900mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
2A
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
60
Коэффициент усиления (hFE)
300/600
Производитель
TOSHIBA
Применение
Power, General Purpose
Искать 2SA1160C в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее