Транзистор 2SA1666 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA1666. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 100mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 200mA
Температура перехода (Tj): 135єC
Граничная частота (Fгр): 160MHz
Коэффициент усиления (hFE): 180T
Производитель: TOSHIBA
Применение: Low Power, Switching, High Frecvency

Аналоги

2N5817 KT3107B

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.