Транзистор 2SA499-R pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA499-R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
250mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
7
Коэффициент усиления (hFE)
30/70
Производитель
TOSHIBA
Применение
Low Power, General Purpose
Искать 2SA499-R в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее