Транзистор 2SA509-G pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA509-G. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 600mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 35V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 30V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 500mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 70MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 30
- Коэффициент усиления (hFE)
- 200MIN
- Производитель
- TOSHIBA
- Применение
- Medium Power, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2SA509-G в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.