Транзистор 2SA511-O pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA511-O. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
800mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
20MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
50
Коэффициент усиления (hFE)
50/150
Производитель
TOSHIBA
Применение
Medium Power, High Voltage

Аналоги

2N2497 BSV68 KT9115A

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SA511-O в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее