Транзистор 2SA530 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA530. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
10
Коэффициент усиления (hFE)
65T
Производитель
SONY
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

2N2907 BSW24 KT313V

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SA530 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее