Транзистор 2SA666A pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA666A. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 150mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 45V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 45V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 100mA
- Температура перехода (Tj)
- 125єC
- Граничная частота (Fгр)
- 40MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 6
- Коэффициент усиления (hFE)
- 90/700
- Производитель
- MATSUSHITA
- Применение
- RF, Low Power, General Purpose
Искать 2SA666A в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.