Транзистор 2SA830 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA830. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
3
Коэффициент усиления (hFE)
1200T
Производитель
SONY
Применение
Darlington, Medium Power

Аналоги

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SA830 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее