Транзистор 2SA911 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA911. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
470mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
850V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
850V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
12V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
9MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
16
Коэффициент усиления (hFE)
30/300
Производитель
FUJITSU
Применение
Low Power, High Voltage, General Purpose
Искать 2SA911 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее