Транзистор 2SB1001 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1001. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 2A
Температура перехода (Tj): 165єC
Граничная частота (Fгр): 40MHz
Коэффициент усиления (hFE): 140T
Производитель: FUJITSU
Применение: RF, Power, General Purpose

Аналоги

2N6730 KT639E

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.