Транзистор 2SB1011 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1011. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
400V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
400V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
100mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
35MHz
Коэффициент усиления (hFE)
140T
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать 2SB1011 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее