Транзистор 2SB1012 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1012. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 8W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 1.5A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 2K/15K
Производитель: MATSUSHITA
Применение: Darlington, Power

Аналоги

BD684

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.